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这里所提的氧化是在硅片上生成一层氧化层。这种氧化主要是制作晶体管和集成电路中使用，在制作太阳能光伏电池中有时也要用到。
    对硅半导体而言，氧化是晶体管和集成电路中简单、干净、单纯的一种，只要在高于或等于1050℃的炉管中通入氧气或水汽，自然可以将硅晶的表面予以氧化，生长所谓干氧层(dry／gate oxide)或湿氧层(wet／field oxide)，当成电子组件电性绝缘或制程掩膜之用。氧化虽然是简单、干净、单纯的一种，但这也是硅晶材料能够取得优势的特性之一(其他半导体，如砷化镓gaas，便无法用此法成长绝缘层，因为在550℃左右，砷化镓已解离释放出砷)。硅氧化层耐得住850～1050℃的后续制程环境，是因为该氧化层是在前述更高的温度下成长；不过每生长出1μm厚的氧化层，硅晶表面也要消耗掉0.44μm的厚度。
以下是氧化制程的一些要点。
    (1)氧化层的成长速率不是一直维持恒定的趋势，制程时间与成长厚度的重复性是较为重要的考量。
    (2)后成长的氧化层会穿透先前成长的氧化层而堆积于上；换言之，氧化所需的氧气或水汽，势必也要穿透先前成长的氧化层到达硅质层。故要生长更厚的氧化层，遇到的阻碍也更大。一般而言，很少成长2μm厚以上的氧化层。
    (3)干氧层主要用于制作金氧半导体(mos)晶体管的载流子信道(channel)；而湿氧层则用于其他较不严格要求的电性阻绝或制程罩幕(masking)。前者厚度远小于后者，1000～1500a已然足够。
    (4)对不同晶面走向的晶圆而言，氧化速率有异：通常在相同成长温度、条件及时间下，{111}厚度≥{110}厚度>{100}厚度。
    (5)导电性佳的硅晶氧化速率较快。
    (6)适度加入氯化氢(hcl)，氧化层质地较佳；但因容易腐蚀管路，已渐少用。
    (7)氧化层厚度的测量，可分为破坏性与非破坏性两类。前者是在光阻定义阻绝下，泡人缓冲过的氢氟酸(buffered oxide etch，boe，是hf与nh4f以1：6的比例混合而成的腐蚀剂)将显露出来的氧化层去除，露出不沾水的硅晶表面，然后去掉光阻，利用表面深浅测量仪(surface profiler or alpha step)，得到有无氧化层的高度差，即其厚度。
    (8)非破坏性的测厚法，以椭偏仪(ellipsorneter)或毫微仪(nano-spec)为普遍及准确，前者能同时输出折射率(refractive index，用于评估薄膜品质的好坏)及起始厚度b与跳阶厚度a(总厚度t=ma+b)，实际厚度(需确定m的整数值)，仍需与制程经验配合以判读。后者则还必须事先知道折射率来反推厚度值。
    (9)不同厚度的氧化层会显现不同的颜色，有2000a左右厚度即循环的特性。有经验者也可单凭颜色而判断出大约的氧化层厚度。不过若超过1.5μm以上的厚度时，氧化层颜色便渐不明显。

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制备方法：热湿氧技术双面氧化硅片

厚度400um500um

氧化层厚度100nm300nm500nm

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