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产品信息
砷化镓的优点
- 1.电子物理特性
- 砷化镓(GaAs)拥有一些比硅(Si)还要好的电子特性,如高的饱和电子速率及高的电子迁移率,使得GaAs可以用在高于250 GHz的场合。如果等效的GaAs和Si元件同时都操作在高频时,GaAs会拥有较少的噪声。也因为GaAs有较高的击穿电压,所以GaAs比同样的Si元件更适合操作在高功率的场合。因为这些特性,GaAs电路可以运用在移动电话、卫星通讯、微波点对点连线、雷达系统等地方。GaAs曾用来做成Gunn diode (中文翻做“甘恩二极管”或“微波二极管”,中国大陆地区叫做“耿氏二极管”) 以发射微波。现今RFCMOS虽可达到高操作频率及高整合度,但其先天物理上缺点如低击穿电压、硅衬底高频损耗、信号隔离度不佳、低输出功率密度等,使其在功率放大器及射频开关应用上始终难以跟砷化镓匹敌。[2]
- 2.能隙
- GaAs的的另一个优点:它是直接能隙的材料,所以可以用来发光。而Si是间接能隙的材料,只能发射非常微弱的光